Elektrostatisch gefährdete Bauelemente und Baugruppen
Durch die zunehmende Miniaturisierung werden zwangsläufig die Isolierabstände verringert. Dadurch nehmen die Zerstörungsmöglichkeiten durch elektrostatische Entladungen drastisch zu. Die in diese Richtung empfindliche Bauelemente und Baugruppen heißen Elektrostatisch Gefährdete Bauelemente bzw. Baugruppen (EGBs) (ESD = Electrostatic Sensitiv Device).
Zu den EGBs zählen alle Halbleiterbauelemente. Die sehr häufig verwendeten MOS-Bauelemente sind teilweise nur bis 100 V spannungsfest. Vereinzelt werden auch Halbleiter verarbeitet, die bereits gegen elektrostatische Spannungen ab 30 V empfindlich sind.

Halbleitertyp Empfindlichkeit (Volt)
V-MOS 30V -1800V
MOSFET 100V - 200V
EPROM 100V - 500V
Junction-FET 140V - 1600V
Operationsverstärker (FET) 150V - 500V
Operationsverstärker (Bipolar) 190V 2500V
CMOS 250V - 2000V
Schottky-Dioden 300V 2500V
Film-Widerstände 300V 3000V
Schottky-TTL 300V 2500V
Transistor (Bipolar) 380V 7000V
Thyristor 680V 2500V

Ganz wichtig ist hier anzumerken, dass die angegebenen Spannungen keineswegs Obergrenzen darstellen. Sie sind auf jeden Fall als mögliche Untergrenzen anzusehen.
Integrierte Schaltkreise (ICs) haben im Allgemeinen eine Schutzbeschaltung, die elektrostatische Entladungen abfangen können. Die Schutzschaltungen funktionieren auch. Allerdings ist auch die Lebensdauer der Schutzschaltungen begrenzt. Wenn also eine ESD-Entladung über die Schutzschaltung abgeleited wurde, muss davon ausgegangen werden, dass diese jetzt defekt ist und nicht mehr oder nicht mehr zuverlässig funktioniert. Wenn also eine weitere Entladung abgeleitet wird, so findet dies mit großer Wahrscheinlichkeit über deas eigentliche Halbleiter-Chip statt, was zu Degradation und somit zum ESD-Schaden führt.
Die ESD-Schutzausrüstung ist also zwingend notwendig.

  Die ESD-Gefährdungskurfe
Die ESD-Gefährdungskurfe zeigt die Gefährdung gegenüber ESD im Verlauf des gesamten Produktionsprozesses.
Am Anfang der Produktion, im Bild als Wafer dargestellt ist die Gefährdung relativ gering. Der Grund: Wo nichts ist, kann auch nichts sein - soll heisen, wo keine ESD-Baugruppe da auch keine Gefährdung. Doch sobald das EGB in Arbeit ist, beginnt die Gefährdung; schon bei der Produktion des Wafers. Die Bedingungen in einem solchen Reinraum sind hochgradig ESD-geschützt. Dies geht einher mit den Reinraumbedingungen.
Wird das EGB bestückt, hier als Ausschnitt einer Platine abgebildet, steigt das Gefahrenpotential sehr stark an. DIes liegt an den Prozessen, die mit viel Bewegung einher gehen:  Wo viel Bewegung → da viel Reibung → daher viel Ladungstrennung!
Je weiter der Produktionsprozess fortschreitet, desto kleiner wird die Kurfe, desto weiter sinkt sie.
Ist das EGB bestückt, ist mehr »Ladungsausgleichsfläche« ist vorhanden. Außerdem sollte hier der ESD-Schutz schon gegriffen haben.
Wird die Baugruppe schließlich-endlich eingebaut, ist die Gefährdungskurfe schon weit abgesunken. Sie erreicht dabei aber nich den Wert von vor der Profuktion. Der Grund hierfür ist einfach: Wo ein EGB vorhanden ist, da gibt es eine ESD-Gefährdung. Man stelle sich in diesem Zusammenhang nur einen unvorsichtigen Service-Techniker vor, der die Baugruppe aus dem Gerät zieht...